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美國TI具有保護，感測或電源管理功能的集成MOSFET和柵極驅動器解決方案。借助集成的FET解決方案，我們的電機驅動器可提供有效的開關和電流控制，以大程度地提高單個芯片的輸出電流能力。智能柵極驅動器集成了無源組件，以減小電路板尺寸，設計復雜性和成本，支持可調節(jié)的柵極驅動電流，靈活的MOSFET選擇，效率，低EMI和小的電路板空間。

DRV835x美國TI驅動器產品特點如下：

9至100V，三重半橋變頻器驅動器

集成降壓穩(wěn)壓器
所謂的三路低端電流并聯放大器
智能門驅動架構
可調擺率控制以實現EMI性能
V GS握手和少的死區(qū)時間插入以防止直通
50mA至1A初始源電流
100mA至2A的前置灌電流
通過強大的降低降低dV / dt
集成式螺桿驅動器電源
倍壓系數泵，用于100％PWM轉矩控制
低側線性穩(wěn)壓器
集成LM5008A降壓穩(wěn)壓??器
6至95V工作電壓范圍
2.5至75V，350mA輸出能力
集成三路電流分流放大器
可調增益（5、10、20、40 V / V）
雙向或單向支持
6x，3x，1x和獨立PWM模式
支持120°感應操作
提供SPI或硬件接口
低功耗睡眠模式（V VM = 48V時為20 µA ）
集成保護功能
VM欠壓鎖定（UVLO）
無人機驅動器電源欠壓（GDUV）
MOSFET V DS過流保護（OCP）
防止MOSFET擊穿
門驅動器故障（GDF）
熱警告和關閉（OTW / OTSD）
故障狀態(tài)指示燈（nFAULT）

美國TI  DRV835x系列設備是用于三相無刷直流（BLDC）電機應用的高度集成的柵極驅動器。這些應用包括BLDC電機的磁場定向控制（FOC），正弦電流控制和梯形電流控制。器件變體提供可選的集成電流分流放大器，以支持不同的電機控制方案，并提供降壓調節(jié)器來為柵極驅動器或外部控制器供電。

美國TI  DRV835x采用智能柵極驅動（SGD）架構，以減少MOSFET擺率控制和保護電路通常必需的外部組件數量。SGD架構還優(yōu)化了死區(qū)時間，以防止直通情況，通過MOSFET壓擺率控制提供降低電磁干擾（EMI）的靈活性，并通過V GS監(jiān)控器防止柵極短路情況。強大的柵極下拉電路有助于防止不必要的dV / dt寄生柵極導通事件

支持各種PWM控制模式（6x，3x，1x和獨立），以簡化與外部控制器的接口。這些模式可以減少電機驅動器PWM控制信號所需的控制器輸出數量。該器件系列還包括1x PWM模式，可通過使用內部塊換向表對BLDC電機進行簡單的感應梯形控制。